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IRFP450中文资料

IRFP450图片

IRFP450外观图

  • 大小:93.05KB
  • 厂家:
  • 描述:IRFP450 N - CHANNEL 500V - 0.33Ω - 14A - TO-247 PowerMESH? MOSFET n TYPICAL R DS(on) = 0.33 Ω n EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY n 100% AVALANCHE TESTED n VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES n GATE CHARGE MINIMIZED DESCRIPTION This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY? process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources. APPLICATIONS n HIGH CURRENT SWITCHING n UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY (UPS) n DC/DC COVERTERS FOR TELECOM, INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT. ? INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM August 1998 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source Voltage (VGS =0) 500 V V DGR Drain- gate Voltage (RGS =20 kΩ) 500 V V GS Gate-source Voltage ± 20 V ID Drain Current (continuous) at Tc =25 o C14 A ID Drain Current (continuous) at Tc =100 o C8.7 A I DM (?) Drain Current (pulsed) 56 A P tot Total Dissipation at T c =25 o C190W Derating Factor 1.5 W/ o C dv/dt(1)
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:400 毫欧 @ 8.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:150nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2800pF @ 25V
  • 功率 - 最大:190W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-247AD
  • 包装:管件
  • 其它名称:IRFP450X

IRFP450供应商

更新时间:2023-01-03 18:55:50
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